移动设备用户之需求日益复杂，使得便携式产品的设计集成了更多的输入/输出(I/O)互连。更高的电流密度和更小的晶体管尺寸，以及用于芯片保护的有限空间，均趋向于增加电子元器件对静电放电(ESD)等瞬态电气过应力事件的敏感性。减少此类瞬态事件的影响，不单有助于防止设备相互“交谈”时导致数据损坏，还可提升总体可靠性。本篇高速I/O线静电放电干扰及解决方案分析，小硕将详细介绍高速I/O线静电放电防护方案设计及ESD静电二极管选型要点呢。

电子工程师都知道静电放电是高电位、强电场、瞬时大电流的过程，因此，在各类芯片的I/O线都会应用低漏电流的ESD放电二极管来防止静电放电带来的电磁辐射形成电磁脉冲。工程师从保证产品质量的角度出发，一致认为有必要增强这类产品的静电防护等级，尤其减少此类瞬态事件的影响，不单有助于防止设备相互“交谈”时导致数据损坏，还可提升总体可靠性。

用于高速I/O接口的ESD保护

随着 IC制造商已经实现更高频率的 I/O互连，他们继续减小晶体管、互连产品，以及器件中二氧化硅(SiO2)绝缘层的最小尺寸，这导致在较低能量水平上发生击穿损坏的可能性越来越大，而且使得ESD保护成为一个主要的设计考虑事项。

根据IEC61000-4-2国际标准，大多数电子设备必需满足最小8 kV接触放电电压或15 kV空气放电电压要求，然而，许多半导体器件不可耐受这种电气应力水平，有可能永久损坏。为了提高它们的可靠性，必需在系统中设计采用附加的芯片外保护电路。

用于高速I/O接口的ESD保护设计有两个主要的考虑因素：

● 用于高速I/O接口的ESD保护电路必需足够稳健，要能够有效地保护内部电路的薄栅极氧化层避免ESD应力的损坏

● 必需最大限度地减小可引起电路性能高速退化的ESD保护器件寄生效应

以下是作用于高速I/O接口ESD静电防护的硕凯SOT-553封装8pF静电抑制器ESD静电二极管型号ESD05V55T-4L的具体参数与特性：

ESD05V55T-4L的参数：

封装：SOT-553

电压：5V

钳位电压：9.8V

容值：8pF

功率：20W

ESD05V55T-4L的特性：

1、依据(tp=8/20μs)线路，峰值脉冲功率为20W

2、保护四个I/O线（单向）

3、低钳位电压

4、工作电压：3.3V,5V,12V

5、低漏电流

6、IEC61000-4-2(ESD)±15kV(空气),±8kV(接触)

7、IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs)