瞬态抑制二极管ESD03V32D-LC在射频口防护方案中的应用 

分享 收藏 已有 517 次阅读  2017-03-30 14:36   标签射频口防护方案 

一、应用背景

    1.全球气候变暖,雷雨天气增多

    2.射频很多置在室外,易受雷击

    3.传输速率高达1Gbps,结电容要求高

    4.高浪涌防护的安防设备成为趋势

二、防护方案与硕凯器件

 SOCAY硕凯射频口防护方案 

陶瓷气体放电管GDT

    GDTUN3E5-90LM】直流标称电压:90±20%V,冲击电流(8/20μS):5kA,电容值<1.5pF,电阻值>1GΩ

    GDTUN3E6-90MM】直流标称电压:90±20%V,冲击电流(8/20μS):10kA,电容值<1.5pF,电阻值>1GΩ

瞬态抑制二极管TVS

    TVSESD03V32D-LCVrwm3.0VVb4.0V;防静电能力(接触/空气):8KV/15KV;结电容(f=1MHz):1.2pF;封装为SOT-323

三、方案应用

    1.医疗器械

    2.视频监控

    3.光发射机

    4.其他射频设备

四、方案说明与注意事项

    1.本方案前端采用一颗GDT,并联与信号线与地线之间,泄放大电流

    2.后端的TVS结电容为1. 2pF,不影响数据传输;

    3.封装为SOD- 323,体积小,节约成本;残压低,有效保护射频芯片

    4.本方案满足I EC61000- 4- 5GBT17626. 5等浪涌标准,更多射频口防护方案设计、整改及选型可直接访问硕凯电子官网:http://www.socay.com

 

 


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