SOCAY硕凯新推SOD-123FL封装TSS半导体放电管P0080DV 

分享 收藏 已有 195 次阅读  2017-04-14 15:04   标签p0080dv 

“接口电路的浪涌冲击防护”不同于“手持设备的浪涌冲击防护”,“手持设备的浪涌冲击防护”主要考虑ESD 问题,而“接口电路的浪涌冲击防护”需要考虑雷电、电快速瞬变脉冲群和ESD三个问题,相比之下其防护难度要复杂许多。只有了解雷电、电快速瞬变脉冲群和ESD的危害,才能领会防护雷电、电快速瞬变脉冲群和ESD的意义。本篇小硕就以T1/E1接口浪涌干扰及电路保护解决方案为切入点,详细分析接口电路浪涌冲击防护方案设计及浪涌防护器件TSS半导体放电管选型要点。

随着现代化高新技术的迅速发展,通信设备、数据网络、精密仪器、家用电器等电子电气设备的用量越来越大,各类设备遭受到雷击的事故越来越多,造成重要通信设备损坏、通信中断,使许多网络陷入瘫痪状态,产生巨大的经济损失。T1/E1表示具有高质量的通话和数据传送界面,属PDH(准同步数字系列,Pseudo-synchronous Digital Hierarchy)体系接口,最初应用于电话公司的数字化语音传输。E1/T1都是ITU-T统一规定的电接口速率,遵从标准ITU-TG.703/704

T1/E1 不仅传输语音信号,还用来传输数据或二者的组合,广泛用于蜂窝电话,商务接入路由器,个人分支交换机等领域。

浪涌冲击防护问题:

T1/E1的供电电压是+3.3V +5V, 由于传输线提供的是至关重要的数据,因此在接口处需要“浪涌冲击”的保护,所谓“浪涌冲击”包括:静电放电、电快速瞬变脉冲群、感应雷电的二级防护,以确保接口的安全和可靠。以下是作用于T1/E1接口浪涌防护电路的SOCAY硕凯SOD-123FL封装TSS半导体放电管P0080DV具体参数特性:

 SOCAY硕凯TSS半导体放电管

SOD-123FL封装P0080DV

封装:SOD-123FL

电压:6V

抗雷击等级@10/700μs1KV

P0080DV的参数:

封装:SOD-123FL

电压:6V

电流:50mA

容值:10pF

P0080DV的特性:

1、良好的吸收瞬态浪涌能力

2、快速响应浪涌电压(纳秒级)

3、消除快速上升瞬变造成的过电压

4、湿度敏感度等级:1

5、非退化

P0080DV的产品应用:

它们被设计在应用中,包括调制解调器,电话,线路卡,应答机,传真机,SLICsT1/E1xDSLPBXs以及更多应用。

半导体放电管选型要点;

    1.信号接口的电平要低于Vs,并留有一定的余量。

    2.根据要过浪涌的等级来选择不同通流量的TSS

    3.电路的正常工作电流不能高于TSS的保持电流。

    SOCAY硕凯电子提供的TSS半导体放电管包括多个品种,产品封装形式覆盖了DO-214AA /SMBDO-214AC/SMATO-92DO-41DO-15DO-27等各种标准封装形式,满足您不同应用环境的设计需求。半导体放电管应用范围广泛,可用于调制解调器、传真机、PBX系统、电话、POS系统、模拟和数字卡等。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强,可在无源电路中代替TVS管使用。现货库存,样品申请免费,并可提供全程由专业FAE工程师指导测试的免费EMC实验室做针对性电磁兼容性测试。更多其他封装参数TSS半导体放电管型号规格参数可直接访问硕凯电子官网。


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