静电放电(ESD)损坏是目前高集成半导体制造。运输和应用中最常见的一种瞬态过压危害,而LED照明系统则须满足IEC61000-4-2标准的“人体静电放电模式”8kV接触放电,以防止系统在静电放电时有可能导致的过电冲击失效。LED
PN结阵列性能将出现降低或损坏。ESD事件放电通路导致的LED芯片的内部失效。这种失效可能只是局部功能的损坏,严重的话娿也会导致LED永久损坏。
SHMV1210V271A801参数:
封装:1210
电压:270V±10%
电流:800A
钳位电压:<395V
容值:350pF
SHMV1210V241A201特性:
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