首批具有更低的开关损耗与更高的效率的1200V碳化硅肖特基二极管 3

分享 收藏 已有 1802 次阅读  2017-06-28 16:10
, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅(SiC),以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。 这种碳化硅二极管是通过与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。 其他基于该技术平台的碳化硅产品(包括1200V碳化硅金氧半场效晶体管)正在筹备中,预计于不远的将来推出。
GEN2碳化硅的额定电压为1200V,工作电流从5 A至10 A 不等,采用TO‑220-2L或TO-252-2L封装。 相比标准的硅双极功率二极管,这种二极管让电路设计师能够大幅降低开关损耗,并显著提高电力电子系统的效率与耐用性。 它可在避免热逸散的情况下承受强浪涌电流,并且相比硅二极管能在更高的结温下工作。 它还提供同类最佳的存储电容电荷与正向压降。
 深圳绍鑫电子作为一家实力雄厚的电子公司,主要从事过压过流保护元件如SURGING陶瓷气体放电管半导体放电管、SURGING玻璃放电管热敏电阻氧化锌压敏电阻保险丝瞬态抑制二极管等开发、制造和销售。产品远销国内外,深受行业内各用户的认可以及信赖。想要获取更多关于压敏电阻的咨询,可以关注我们的官网:http://www.szshaoxin.com/

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  • 深圳绍鑫电子 2017-06-28 16:10
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