TVS瞬态抑制二极管,东沃电子,双11最佳备货供应商 

分享 收藏 已有 84 次阅读  2018-10-24 17:38   标签瞬态抑制二极管  TVS管  TVS二极管 
众所周知,电子设备产品的电源路线在工作时,由于工作环境的不确定性和静电放电等因素,很容易发展故障或损坏,故需要相应的电路保护元器件为其保驾护航。常见的电路保护元器件有:TVS瞬态抑制二极管、ESD保护二极管、稳压管、半导体放电管、自恢复保险丝、陶瓷气体放电管等。双11还没来,PC端、移动端关于双11的各种信息不请自来,铺天盖地,所以,在这一节骨点上,东沃电子也来凑凑热闹。实话说在前面,东沃电子要介绍的既不是帅哥也不是美女,而是东沃电子的一款常用电路保护元器件——TVS瞬态抑制二极管。


瞬态抑制二极管,个头虽然不大,但是在电源路线中的作用却不容忽视。目前,市场上从事TVS瞬态抑制二极管的供应商不计其数,东沃电子是其一。在瞬态电压抑制TVS二极管研发、生产方面,东沃电子是专业、认真的,相关专利为东沃锦上添花。

一种瞬态电压抑制器(TVS)芯片结构
专 利 号:CN206558507U
专利类型:实用新型
详情介绍:本实用新型公开了一种瞬态电压抑制器(TVS)芯片结构,其特征在于:包括N+结构层、N?结构层、P结构层、P+结构层、玻璃保护层、金属面层。所述芯片N+结构层正面设置为N?结构层,N?结构层正面设置为P?结构层,P?结构层正面设置为P+结构层;台面附近区域设置辅助沟槽结构,辅助沟槽结构的表面覆盖有玻璃保护层。金属面层包括上金属面层和下金属面层。P+结构层正面设置上金属面层,N+结构层背面设置下金属面层。本实用新型结构得益的效果:当外加最高反向电压时,N型基区耗尽层被限制在基区以内,其击穿电压高于主体结击穿电压,使主体结区域先击穿,漏电流分布于主体结区域,而辅助结区域不发生击穿,从而解决了单扩散结结构在生产高电压芯片时的漏电大,击穿电压低,易损坏的问题,提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能,同时提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性。


一种瞬态电压抑制器(TVS)芯片和制造方法
专 利 号:CN107346790A
专利类型:发明公布
详情介绍:本发明公开了一种瞬态电压抑制器(TVS)芯片及制造方法,其特征在于:芯片台面附近区域设计的辅助沟槽结构,当外加最高反向电压时,N型基区耗尽层被限制在基区以内,其击穿电压高于主体结击穿电压,使主体结区域先击穿,漏电流分布于主体结区域,而辅助结区域不发生击穿,从而提高了高电压瞬态电压抑制器的耐压性能,同时提高瞬态电压抑制器的抗浪涌能力及可靠性。增加P型区耗尽层结构,改变了P型扩散区的浓度结构曲线,利用P型扩散区耗尽层宽度的附加耐压,将器件的最高反向耐压值提高到800伏特以上;增加了N+区宽度;增宽了高导电率区域,增强了N+区对N基区发射电子的能力,芯片的正向峰值压降降低到1.22V及以下。


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